1. Phương pháp thiêu kết phản ứng (RS)

Phương pháp đúc chung được thông qua. Đầu tiên, bột silicon được ép vào một cơ thể màu xanh lá cây của hình dạng mong muốn, và sau đó được đặt trong một lònitơ để điều trị thiêu kết Pre-itriding (nitoriding một phần). Cơ thể màu xanh lá cây sau khi trước-nitriding có một sức mạnhnhất định và có thể thực hiện các chế biến cơ học khácnhau (như rẽ, lên kế hoạch, phay, khoan) và cuối cùng, ởnhiệt độ trên điểmnóng chảy của silicon; Cơ thể màu xanh lá cây trở lại hoàn toànnitred và thiêu kết để có được một sản phẩm có chút thay đổi kích thước (nghĩa là sau khi thân xanh thiêu kết, co rút, tỷ lệ rấtnhỏ, tốc độ co rút tuyến tính là<011%) Sản phẩmnày thường có thể là sử dụng mà không cần mài. Phương pháp thiêu kết phản ứng phù hợp để sản xuất các bộ phận với hình dạng phức tạp và kích thước chính xác, và chi phí cũng thấp,nhưng thời giannitơ rất dài.

Hvantages siliconnitride thiêu kết phản ứng:

Sản xuất các sản phẩm có hình dạng phức tạp mà không gia công đắt tiền và độ chính xác dễ dàng dễ dàng; Không cần thêm các chất hỗ trợ thiêu kết.

2. Phương pháp thiêu kếtnóng (HPS)

--Bột SI3N4 và một lượngnhỏ các chất phụ gia (như MGO, AL2O3, MGF2, FE2O3, v.v.) là hot-preded và thiêu kết ở áp suất trên 1916Mpa vànhiệt độ ở trên 1600 ℃. Các gốm sứ SI3N4 thiêu kếtnóng bỏng được sử dụng bởi một số công ty ở Vương quốc Anh và Hoa Kỳ có sức mạnh hơn 981MPA, và các chất phụ gia và thành phần pha trong khi thiêu kết có tác động lớn đến hiệu suất sản phẩm. Do sự kiểm soátnghiêmngặt của thành phần của pha ranh giới hạt và xử lýnhiệt thích hợp sau khi thiêu kết gốm sứ SI3N4, có thể có được các vật liệu gốm sê-ri SI3N4 không giảm đáng kể sức mạnh (tối đa 490mpa trở lên)ngay cả khi Nhiệt độ cao tới 1300 ° C, và biến tính kháng cự creep có thể được cải thiện bằng ba bậc độ lớn. Nếu vật liệu gốm SI3N4 là trước \\ độc hại ởnhiệt độ cao 1400-1500 ℃, pha SI2N2O sẽ được hình thành trên bề mặt vật liệu gốm, có thể cải thiện đáng kể khảnăng chống oxy hóa và cường độnhiệt độ cao của gốm sứ SI3N4. Các tính chất cơ học của gốm sứ SI3N4 được sản xuất bằng cách épnóngnóng là vượt trội so với phản ứng thiêu kết Si3N4, với độ bền cao và mật độ cao. Tuynhiên, chi phí sản xuất cao và thiết bị thiêu kết rất phức tạp. Do sự co rút lớn của cơ thể thiêu kết, độ chính xác kích thước của sản phẩm được giới hạn ở một mức độnhất định. Thật khó để sản xuất các bộ phận phức tạp. Chỉ các bộ phận có hình dạng đơn giản có thể được sản xuất và gia công của phôi cũng rất khó.

hược điểm của Nitride silicon thiêu kếtnóng:

Sản phẩm có mật độ cao và Sức mạnh có thể thu được.

disbantages:

low hiệu quả sản xuất, chi phí cao, hình dạng sản phẩm đơn giản, gia công tiếp theo khó khăn.

=----3. Áp suất khí quyển thiêu kết (PLS)

nin Điều khoản tăng áp suất của khí quyểnnitơ thiêu kết,nhiệt độ phân hủy của SI 3 N 4 được tăng lên (thường ở ATM N21,nó bắt đầu phân hủy từ 1800oC) , và sau khi thiêu kết áp suất bình thường trong phạm vinhiệt độ 17001800oC, thiêu kết áp suất khí được thực hiện trong phạm vinhiệt độ 1800

2000 ° C. Mục đích của phương phápnày là sử dụng áp suất không khí để thúc đẩy mật độ gốm sứ SI3N4, do đó làm tăng sức mạnh của gốm sứ. Các thuộc tính của sản phẩm kết quả thấp hơn một chút so với các tínhnăng thiêu kếtnóng

pressing, cónhược điểm tương tự để thiêu kếtnóng-pressing.-->4. Phương pháp thiêu kết áp suất gas (GPS)

innhữngnăm gần đây, mọingười đã thực hiện rấtnhiềunghiên cứu về sự thiêu kết áp lực khí đốt, và đã đạt được tiến bộ lớn. Nitring áp suất khí của siliconnitride được thực hiện ởnhiệt độ khoảng 2000 ° C dưới áp suất 110 MPA và áp suấtnitơ cao ức chế sự phân hủynhiệt độ cao của siliconnitride. Do việc sử dụng thiêu kếtnhiệt độ cao, việc bổ sung các chất hỗ trợ thiêu kết ít hơn là đủ để thúc đẩy sự phát triển của các hạt SI3N4, và một loại gốm có độ cao có chứa trong sự phát triển của NSITU của các hạt cột dài với mật độ

99% thu được . Do đó, sự thiêu kết áp suất không khí đã được trảnhiều hơn vànhiều sự chú ýnhiều hơn trong phòng thínghiệm và sản xuất. Gốm sứ siliconnitride thiêu kết có độ dẻo dai cao, độ bền cao và khảnăng chống mài mòn tốt, và có thể trực tiếp tạo ra các hình dạng phức tạp khácnhau gần với hình dạng cuối cùng, có thể làm giảm đáng kể chi phí sản xuất và chi phí chế biến. Và quy trình sản xuất củanó gần với quy trình sản xuất cacbua xi măng, phù hợp để sản xuất hàng loạt.

--5. Thỏa sángnặngnề (PS)

Phản ứng thiêu kết SI3N4 thiêu kết trống được đặt trong bột siliconnitride với sự hiện diện của một hỗ trợ thiêu kết, và ReSintered ởnhiệt độ cao để có được một sản phẩm SI3N4 dày đặc. Hỗ trợ thiêu kết có thể được giới thiệu trong quá trình phay bột silicon, hoặcnó có thể được thêm vào bằng cách thụ tin sau khi thiêu kết phản ứng bằng phương tiện tẩm. Do tiền chế trong quá trình thiêu kết phản ứng, co rút trong quá trình re

sintering chỉ 6% đến 10%, do đó, các bộ phận có hình dạng phức tạp và hiệu suất tuyệt vời có thể được chuẩn bị.

-

up đến 99% mật độ, có thể so sánh với SI3N4 NPRESSE HOT \\n \\n \\n6. Nhấn isostaticnóng (hip) \\n \\n \\n Bột hỗn hợp của siliconnitride và hỗ trợ thiêu kết được gói gọn trong một phong bì kim loại hoặc thủy tinh, và thiêu kết ởnhiệt độ cao bằng khí áp suất cao sau khi hút bụi. Áp suất thường được sử dụng là 200MPA vànhiệt độ là 2000oC. Nhấn isostaticnóng của siliconnitride có thể đạt được mật độ lý thuyết,nhưng quá trình củanó phức tạp và chi phí cao. \\ N \\n \\n \\n