engineers tại Đại học California San Diego đã sử dụng MetaM vật liệu để phát triển thế giới' S Thiết kế vi điện tử-free, ánh sáng-ontrollic, chỉ bị kích thích bởi Low-Poltage, Low-POWER LASERS. Độ dẫn cao cao gấp 10 lần so với thông thường. Côngnghệnày có lợi cho việc sản xuất các thiết bị vi điện tử công suấtnhanh hơn,năng lượng cao hơn và dự kiến ​​sẽ tạo ra các tấm pin mặt trời hiệu quả hơn.

hiệu suất của các thiết bị vi phân tự động thông thường hiện tại, chẳng hạnnhư bóng bán dẫn, cuối cùng bị giới hạn bởi hiệu suất của vật liệu cấu thành của họ. Ví dụ, bản chất của chất bán dẫn tự giới hạn độ dẫn điện hoặc lưu lượng điện tử của thiết bị. Bởi vì chất bán dẫn có một khoảng cách dải rất-called, điềunày cónghĩa là một sốnăng lượng bênngoài cần được áp dụng để gây ra các electronnhảy qua khoảng cách dải. Ngoài ra, vận tốc electron cũng bị hạn chế bởi vì khi các electron đi qua chất bán dẫn, chúng luôn va chạm với cácnguyên tử bên trong chất bán dẫn.

&\"Nhóm điện từ được áp dụng, dẫn đầu bởi Dan Sievenpiper, một giáo sư kỹ thuật điện tại UC San Diego, khám phánhững hạn chế của việc sử dụng electron không gian miễn phí để thay thế#"101; chất bán dẫn để khắc phụcnhững hạn chế của thiết bị điện tử truyền thống. Ebrahim Forati, tác giả đầu tiên củanghiên cứu, cho biết:"AND, chúng tôi hy vọng sẽ đạt đượcnó ở cấp độ vi mô.


hodever, quá trình phát hành electron từ vật liệu là một thách thức. Quá trìnhnày yêu cầu áp dụng điện áp cao (ítnhất 100 volt) và laser UV công suất cao hoặc yêu cầunhiệt độ cực cao (hơn 1000 độ F), không thực tế trên các thiết bị điện tử micron vànano.
\\ Hình ảnh Kính hiển vi điện tử N-scanning (SEM) của thiết bị vi điện tử bán dẫn (trên cùng bên trái) và bề mặt hời au (phía trên bên phải, thấp hơn)

to cope với thử tháchnày,nhóm West Piper đã thiết kế một ảnh-device micro-device có thể giải phóng các electron từ vật liệu và các điều kiện phát hành ít đòi hỏi.

, thiết bị bao gồm chấtnền silicon, một hàng rào silicon dioxide và một bề mặt được thiết kế trên đầu trang trong đó được gọi là"metasurface."Bề mặt của kính bao gồm một dải Au (vàng) song song và một mảngnano aunike-like au trên đó.

au meta bề mặt được thiết kế để sản xuất"heo Spots"với các trường điện cao-intys khi áp dụng DC thấp Điện áp (dưới 10 volt) và laser hồngngoại thấp-power đồng thời. Những điểm"hốtnày"năng lượng đủ để"pull"các electron ra khỏi kim loại, phát hành các electron tự do.

""device Kết quả kiểm tra cho thấy độ dẫn củanó được tăng 10 lần. Ibrahimnói:this cónghĩa là bạn có thể kiểm soátnhiều electron tự do hơn.

""western piper cho biết:
OF khóa học, điềunày sẽ không thay thế tất cả các thiết bị bán dẫn,nhưng đối với một số ứng dụng cụ thể, đây có thể là tốtnhất Giải pháp, chẳng hạnnhư tần số cao hoặc các thiết bị công suất cao.
---According cho cácnhànghiên cứu, bề mặt AU Super-suerier hiện tại chỉ là một bằng chứngof
ficecept thiết kế. Đối với các loại thiết bị vi điện tử khácnhau, các thiết kế và tối ưu hóa siêu khácnhau của Nsurface là cần thiết. Cácnhànghiên cứu cho biết bước tiếp theo là hiểu khảnăng mở rộng của các thiết bịnày vànhững hạn chế của hiệu suất của chúng. \"